Desde los años 90, las memorias MRAM o magnetorresistivas han sido el objeto de deseo de muchos fabricantes. Un nuevo tipo de memorias no volátiles, donde la información se retiene aunque se apague el dispositivo o no haya energía. Tras varios años de investigación, Samsung ha anunciado hoy que ya ha demostrado que estas memorias MRAM funcionan y han comprobado su efectividad en un entorno real.
Samsung ha construido el primer sistema de computación funcional basado en memorias MRAM. Estamos ante un nuevo tipo de memorias que abre la puerta a toda una nueva generación de chips, donde las memorias pueden desde almacenar datos hasta procesarlos. Al contrario que en las memorias DRAM, donde tenemos una gestión dinámica de los datos, en estas MRAM también es posible mantener datos.
Más rápidas, eficientes y listas para ser producidas en masa
Los resultados de esta prueba han sido publicados en Nature por el equipo del Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) junto a Samsung Electronics Foundry. Desde la empresa explican que estas nuevas memorias pueden procesar una gran cantidad de datos almacenados dentro de la propia memoria, sin tener que acceder a los datos de un SSD. Debido a que el procesamiento de estos datos se ejecuta de manera muy paralela, el consumo de energía se reduce considerablemente.
El desafío de utilizar las MRAM está en su ejecución. Tienen una resistencia baja y no pueden beneficiarse de la informática estándar. Samsung apunta que su uso encajaría bien en el desarrollo de nuevos chips de inteligencia artificial o para el desarrollo de redes neurológicas.
Para probarlos, los ingenieros de Samsung implementaron estas MRAM en un sistema de computación enfocado a tareas de inteligencia artificial, donde las mismas memorias almacenaban los datos de partida y realizaban la tarea de cálculo. El resultado de las pruebas indica que estas memorias MRAM han logrado una precisión del 98% a la hora de clasificar dígitos escritos a mano y una precisión del 93% en la detección de rostros en escenas.
La producción de estas memorias DRAM está lista desde hace unos años, pues la dificultad técnica está en su puesta en funcionamiento y no la producción de chips. El proceso planteado hace dos años fue fabricar en masa memorias MRAM en 28 nanómetros. Según los datos de Samsung, estas memorias MRAM pueden llegar a ser hasta 1.000 veces más rápidas que el eFlash.
"La computación en la memoria se parece al cerebro en el sentido de que en el cerebro, la computación también ocurre dentro de la red de memorias biológicas, o sinapsis", explica el Dr. Seungchul Jung, autor de la investigación. La computación neuromórfica es un nuevo campo de la informática que, además de Samsung, empresas como Intel, IBM o HP también están explorando.
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